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高穩(wěn)定性LED芯片

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• 發(fā)布時間：2014-12-10
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    近日，由揚州大學(xué)物理學(xué)院承擔(dān)的我省科技攻關(guān)項目大功率高亮度LED芯片研究取得重大進展，首批試制樣品已上線接受1000小時的性能測試。這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片，將用于替代國外同類產(chǎn)品。據(jù)了解，作為光電強省，我省去年開始展開高性能LED芯片的研究。揚大物理學(xué)院光電研究中心與揚州華夏光電合作，對國產(chǎn)芯片的電極形狀進行優(yōu)化設(shè)計，著力解決發(fā)熱量大、衰減快、發(fā)光效率低等穩(wěn)定性問題，以提高其使用壽命和發(fā)光效率。目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功，并已經(jīng)獲得3項國家專利，經(jīng)過1000小時連續(xù)帶電測試后，研究人員還將對細節(jié)進行改進，新芯片的穩(wěn)定使用壽命約能提高到5萬小時以上。

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